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IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3 110v • Peso: 13El transistor MOSFET IRF510N es un componente electrnico de potencia ideal para aplicaciones de conmutacin y amplificacin. Es ampliamente utilizado en circuitos electrnicos por su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes, con una resistencia de encendido baja y alta eficiencia. ESPECIFICACIONES TCNICAS Tipo: N Channel MOSFET Tensin Mxima de Drenaje Fuente (VDS): 100 V Corriente Mxima de Drenaje (ID): 33 A Potencia Mxima Disipada: 43 W
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